2024年10月22日消息，国家知识产权局信息显示，乐普钠电新材料（六安）有限公司申请一项名为“一种通过InF3掺杂抑制锂枝晶生长的固态电解质材料的制备方法”的专利，公开号CN 118763270 A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本发明涉及新型固态电解质材料及其制备技术，具体涉及一种通过InF3掺杂抑制锂枝晶生长的固态电解质材料的制备方法。本发明利用InF3与锂金属反应生成LiF和Li‑In合金，在固态电解质/电解液界面形成富含LiF的人工SEI层，从而改善电池界面稳定性。（2）优化了固态电解质与InF3的混合比例。通过XRD、SEM、等表征手段，本发明研究了不同InF3添加量对Li5.3PS4.3Cl1.7固态电解质结构、形貌和储能性质的影响。结果表明，当InF3添加量为3wt%时，可提高固态电解质与锂金属负极的界面相容性。本发明认为这主要归因于InF3与锂金属反应形成的富LiF人工SEI层，提升了固态电解质与锂负极的界面稳定性。